随着我国电力系统网络的不断发展，在建或已批准电力计划的不断增多，其与电力行业相关产业也随之迅速发展起来。 从相关数据来看，我国变频调速技术起步较晚，比欧美、日本等发到国家晚了10至15年。不过，有专家认为，由于目前中高端变频器市场应用主要被欧美、日本品牌占据，从长期发展趋势来讲，有近80%的进口替代空间，中低压将是变频器未来争夺的主战场。 同时，2011年，国内市场中低压变频器供不应求，第一次出现比高压变频器增速快的现象，高压变频器则竞争进一步加剧。“通常，中低压变频器的市场规模增长在10%-15%的水平，但2011年的增速首次超过了高压变频器，达到了30%的加速发展”，业内人士称。 近年来，随着变频器行业的发展，变频器的核心电子器件也从最初的SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)，经过BJT(双极型功率晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)，发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。IGBT属微电子产品，目前国内在该领域技术相对落后，国内变频器企业普遍采用德国和日本的进口产品。中、低压变频器生产所需的IGBT，也只有少数国内企业可以供应。 “未来，变频器市场的争夺比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。这是国内努力在IGBT上需求突破的原因。”有关人士指出。 现在，随着2012下半年，国家密集公布批准的输变电建设计划，预计在未来几年中我国的电力相关行业都将进入到一个较快的发展时期，在这期间，虽然高中低三档的变频器需求都将大增，但我们还是需要通过消费业绩来反哺科研投入，以加强在相关领域的行业竞争力。